瀚薪科技總座李傳英。 分享 facebook 瀚薪科技是大中華唯一一家碳化矽（Silicon Carbide、SiC）功率半導體供應商，
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，由於矽材料效能已達極限，
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，新能源趨勢也帶動碳化矽的需求也一路向上，
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，將使瀚薪搭上產業順風車，
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，趁勢而起。翻開瀚薪公司簡介，
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，少見的「寬能隙（Wide Band-gap）」名詞是重點。寬能隙是指碳化矽和氮化鎵兩種半導體材料，這冷門的三個字，卻築起了瀚薪與兩岸同業之間的競爭障礙。瀚薪創始團隊來自工研院，主要任務是開發碳化矽與氮化鎵功率元件，專研更高效率的節能元件。寬能隙技術讓瀚薪成為全球五家碳化矽元件供應商之一，也是大中華唯一。瀚薪總經理李傳英說，碳化矽的能源轉換效率雖然只比一般矽增加1%到2%，卻超越現行矽的極限，累加效率會非常驚人，可以降低用電量，符合節能減碳需求，讓產業進入下個成長軌道。有了工研院時期累積的技術和人才，瀚薪創立之初就掌握碳化矽的材料、元件和系統。但如何將產品賣進市場，是更頭痛的問題。台灣享有極高市占的電源供應器客戶，成為最佳切入點。瀚薪當時直接與客戶面對面，了解常用規格的需求，加上產品開發快速，2014年上半年開出一系列碳化矽二極體，順利敲開電源供應器市場的大門。隨後瀚薪開發碳化矽MOSFET產品，並將戰線延伸到大陸和其他應用。工研院為瀚薪儲備碳化矽技術，降低量產門檻，卻也需要市場動能，才能挹注新創公司生機，節能減碳趨勢適時提供奧援。李傳英說，全球第一顆商品化的碳化矽二極體於2001年由英飛凌商品化，但因售價比一般矽貴十倍，市場無法立即爆發。直到電源供應器法規「80 Plus」上路，成了碳化矽市場推手。為了降低能源轉換過程的損耗，電源供應器產業推出「80Plus」效能標示，讓產品可拿到銅、銀、金、白金、鈦金等不同等級認證，碳化矽開始走進白金級以上的電源供應器。瀚薪市場行銷經理楊雅嵐說，早期白金級以上電源供應器才會用到碳化矽，現在銅牌等級也在使用，因為前級使用碳化矽的效率比較好的，後級電路設計可以更簡化，整體系統成本未增，卻讓效率穩定得更好。電源供應器產業為碳化矽應用和瀚薪營運打底，這一年多來缺貨又漲價的傳統MOSFET，再加上新能源產業發展加速，則提供碳化矽與瀚薪更好的養分，讓客戶試用意願大增，瀚薪已於今年第2季打進大陸一線車廠供應鏈。兩張便條紙 寫滿貴人新創公司風險高，必須要時間等待茁壯，創始團隊含辛茹苦的成長路上往往需要貴人相伴，提供遮風避雨的臂膀，也適時伸出援手。對瀚薪來說，漢民集團正是這樣的角色。包括總經理李傳英在內的瀚薪創始團隊出自工研院，而創立至今，則是漢民集團給了最大的支持和幫助，瀚薪至今仍是漢民集團的一員，最大股東為漢民旗下創投。對李傳英來說，漢民董事長黃民奇與前漢微科董事長、現任致嘉科技董事長許金榮等人，都是他一直掛在心中最感謝的人。李傳英受訪時，細心地準備了兩張寫滿感謝對象的便條紙，就怕漏了其中任何一人。名單上，除了黃民奇、許金榮外，還有漢磊前後任執行長詹益仁及徐建華、瀚薪董事長徐善可和交大EMBA執行長鍾惠民。而他最感念在心的首位，就是協助瀚薪成立的黃民奇。李傳英說，漢民並給予瀚薪眾多資源，讓公司能夠專注在產品研發和市場開拓上。而同為漢民集團一員的許金榮，也經常在李傳英做決策時，提供更多面向的建議，是他眼中相當有智慧的前輩。而至今仍是瀚薪代工廠的漢磊，前後兩任執行長詹益仁與徐建華兩位，更在產品開發與量產上扮演重要角色，讓瀚薪能順利擠身全球前五家寬能隙產品供應商之一。李傳英感性地說，漢民集團很大，經驗也多，投資了很多公司，但在瀚薪遇到困難或有任何想法時，都願意提供幫助和建議。李傳英說，目前瀚薪的代工廠只有漢磊，但除了與漢磊合作製造與設計外，其他供應鏈都是放眼全球，持續在全球尋找合適的合作對象。這條產業鏈 潛利無限無論是美、歐、中、日、韓等國，皆已將寬能隙列為重點發展產業，讓包含碳化矽（SiC）在內的半導體材料和產業鏈站在絕佳的浪頭上。2014年初，美國前總統歐巴馬宣布成立「下一代功率電子技術國家製造業創新中心」，希望通過加強第三代半導體技術、也就是寬能隙的研發和產業化，使美國能順利攻下下一代功率電子產業，寬能隙製造中心已設於北卡州立大學。歐洲則是啟動產學研項目「LASTPOWER」，由意法半導體（ST）攜手來自義大利、德國等六個歐洲國家的企業、大學和公共研究中心，聯合研發寬能隙的碳化矽和氮化鎵（GaN）相關關鍵技術。位於亞洲的中國大陸、日、韓等國也不例外。其中，大陸積極建立第三代半導體材料及應用聯合創新基地，並與荷蘭大學簽訂戰略合作協議。對於大陸來說，為了解決當地嚴重的霾害問題，汽車由燃油車轉向新能源車已成既定政策，預定自2025年起將不再核准燃油車牌照。預估到了2035年，馬路上將不再看到燃油車的蹤跡，全面轉用新能源車，有利於碳化矽在內的寬能隙材料在車用市場的滲透率。日本在311大地震事件後，用電成為很大問題，因此積極往節能減碳發展，當地已成立「下一代功率半導體封裝技術開發聯盟」，由大阪大學和羅姆半導體、三菱電機等18家進行SiC和GaN材料、元件、應用的技術開發及產業化。韓國同樣以產、官、學三方合作的模式，提出寬能隙產業發展政策。業界傳出，韓國政府已建立一個大型產業鏈計畫，預定投資8，600多億韓元，打造完整的寬能隙產業鏈。成本高…最大瓶頸寬能隙（Wide Band-gap）包括碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）等，具備優異的半導體特性，被視為第三代半導體材料。第一代半導體材料主要是指現在常見的矽（Si）還有鍺元素（Ge）等，廣泛使用在，電腦、手機、電視等終端產品上，台積電、聯發科等大廠都是位在同一個產業鏈上。第二代半導體材料則是指化合物半導體材料，例如砷化鎵（GaAs）等，台灣相關廠商有全新、穩懋、宏捷科等。寬能隙雖然擁有極佳半導體特性，可以幫助省電，主要使用在電力電子零組件。但目前成本較高而影響客戶使用意願，一旦成本降至甜蜜點，被譽為將引發一場類似於蒸汽機相同的產業革命，但國內供應鏈少。，