極紫外光微影製程 （EUV）技術是次世代微影技術之一，
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，被半導體業視為跨入10奈米製程以下，
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，取代傳統浸潤式曝光（Immersion）、延續摩爾定律的一項重要微影技術。浸潤式曝光機台是在光源與晶圓中間加入水的原理，
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，使波長縮短到132奈米的微影技術；EUV曝光設備是利用波長極短的紫外線，
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，在矽基板上刻出更微細的電路圖案。EUV售價昂貴，
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，一台售價高達7，000萬歐元（約新台幣25.6億元），主力設備開發廠艾司摩爾（ASML）為降低開發風險，過去曾要求英特爾、三星及台積電以入股，共同參與這項先進微影技術開發，如今相關量產設備已陸續出貨，和浸潤式曝光機搭配使用，開始導入在10奈米以下先進製程。，