NAND Flash市況好轉 長江存儲直接切入128層堆疊開發

隨著NAND Flash市況好轉,

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,大陸記憶體廠商長江存儲16日宣布下一個階段的技術發展目標,

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,將跳過如今業界常見的 96 層,

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,直接投入128 層NAND Flash 的研發工作,

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,但尚未發布具體的目標時間表。大陸科技新聞驅動之家報導,

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,對於長江存儲計畫跳過 96 層堆疊,直接投入128層堆疊 NAND Flash 產品的發展計畫,市場人士反映,在大陸極力發展自主半導體產業的情況下,期望彎道超車已經是各廠商努力的目標,只是屆時能不能完成,還有待觀察。 2020 年,全球 NAND Flash 產業將集體朝向 100 層以上堆疊的發展已經成為趨勢,例如南韓SK海力士已在近期出貨128層快閃記憶體並將在年底做到176層;三星有128層、136層,威騰、鎧俠(原東芝存儲)都是112層但存儲密度更高;美光128層;Intel則會做成144層。過去,長江存儲推出 64 層堆疊的NAND Flash 產品,相對於國際大廠有一到兩代的差距,因此這次選擇以128 層堆疊的產品發展,一旦真的成功,無疑的將能進一步縮小與業界其他領先對手的差距,不過在技術的挑戰性上也將會更大。在技術創新層面,長江存儲研發了自己的Xtacking堆疊架構,已經可以保證可靠性問題,下一代的Xtacking 2.0也正在推進中,會重點拓展性能、功能,也是直接上128層堆疊的重要關鍵。根據長江存儲先前的介紹,Xtacking 架構是在兩片獨立的晶圓上加工週邊電路和儲存單元,有利於選擇更先進的製程技術,提升 NAND Flash 的 I/O 介面速度、儲存密度,使得晶片面積也能減少約 25%。當兩片晶圓各自完工後,只需一個處理步驟就可透過數百萬根垂直互聯通道 (VIA),將兩片晶圓結合在一起。長江存儲強調,受惠於並行且模組化的產品設計及製造方式,這使得 Xtacking 架構的 NAND Flash 的開發時間也可縮短 3 個月,生產週期也可縮短 20%。長江存儲日前還發布,自主研發的 64 層堆疊 256Gb TLC NAND Flash 已經在2019年投入量產,並正在擴充的產能,將儘早達成約產能10萬片的規模,並達到計畫總產能每月30萬片的目標。長江存儲。圖/湖北日報 分享 facebook 長江存儲自研發64層快閃記憶體。圖/快科技 分享 facebook,

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